關於
本公司採用脈衝電漿聚合聚對二甲苯技術(iP4CTM)，主要是在低真空及室溫的環境下，利用電源設備產生高能電子撞擊前驅物氣體分子使其激發或離子化，基材表面亦在電漿的空間中轟擊產生自由基，進而在材質表面原位(in situ)聚合形成具有共價鍵的聚對二甲苯鍍膜。該技術具備室溫沉積、附著性佳、結合強度高、耗能低、鍍膜厚度和均勻性控制度高等優點，iP4C鍍膜具有諸多優異特性，包括高透性、均一無孔、保形性、防潮、抗腐蝕、低介電常數、低摩擦係數及高生物相容性等，其可廣泛應用於醫療器材、半導體、智慧電車、太陽能、航太與軍事產業。
特色優勢
➤ 電漿清潔微污染
➤ Parylene 化學鍵結基材
➤ 奈米級堆疊鍍膜
詳細規格
